Sichere Signale in der gesamten Anlage Interfacemodule für explosionsgefährdete Bereiche 

Quelle: Pepperl+Fuchs 2 min Lesedauer

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Mit dem K-System bietet Pepperl+Fuchs Interfacemodule für explosionsgefährdete Bereiche. Dazu gehören 200 Trennbarrieren und 150 Signaltrenner, die sich einfach installieren und Instand halten lassen.

Das Power Rail des K-Systems reduziert den Verdrahtungsaufwand bei der Stromversorgung und bietet darüber hinaus eine Sammelfehlermeldung.(Bild: Pepperl+Fuchs)
Das Power Rail des K-Systems reduziert den Verdrahtungsaufwand bei der Stromversorgung und bietet darüber hinaus eine Sammelfehlermeldung.
(Bild: Pepperl+Fuchs)

Sicherheit steht bei der Verwendung des K-Systems an erster Stelle: Durch die Trennbarriere wird die in den eigensicheren Stromkreis eingespeiste Energie begrenzt. Die galvanische Trennung der Mess- und Steuerstromkreise schützt Steuer-/Regelungssysteme und Feldgeräte vor Störeinflüssen durch Masseschleifen und gewährleistet so die Signalzuverlässigkeit. Das K-System ist G3-konform und ermöglicht das Erreichen von bis zu SIL 3 für alle Signaltypen.

Große Auswahl an kosten- und platzsparenden Modulen

Interfacemodule
Sichere Signale in der gesamten Anlage: Trennbarrieren für den Signaltransfer von und zum explosionsgefährdeten Bereich Signaltrenner für Signalschleifen in sicheren Umgebungen.
(Bild: Pepperl+Fuchs)

Mit 200 Trennbarrieren und 150 Signaltrennern ist das K-System das größte Produktportfolio seiner Art. Die möglichen Anwendungen sind praktisch unbegrenzt, sowohl in explosionsgefährdeten Bereichen als auch in gemischten explosionsgefährdeten und nicht explosionsgefährdeten Bereichen. Die Produktfamilie besteht aus einer Vielzahl von Modulen – von einfachen Schalterverstärkern bis hin zu hochfunktionalen Komponenten, einschließlich Modulen für alle Signaltypen und anpassbaren Multifunktionsgeräten für jede Anwendung.

Die einfache Installation und Instandhaltung werden durch abnehmbare Klemmenblöcke mit Prüfbuchsen und die interne Diagnosefunktion der Module gewährleistet. Die HART-Signaltransparenz ermöglicht den einfachen Zugriff auf die Feldgeräte. Darüber hinaus können mit den K-System-Modulen Kosten gesenkt und Platz im Leittechnikschrank gespart werden, da sie eine Packungsdichte von bis zu 6 mm pro Kanal aufweisen und aufgrund der geringen Leistungsaufnahme und der geringen Wärmeabfuhr eine lange Lebensdauer haben.
 

Hohe Verfügbarkeit und globaler Service

Für maximale Verfügbarkeit besitzt das K-System eine Leitungsfehlerüberwachung von Feldstromkreisen und Modulen mit Leitungsfehlertransparenz. Die Module sind horizontal und vertikal ohne Verringerung der Betriebswerte montierbar. Die Stillstandszeiten werden minimiert, da die Module im laufenden Betrieb ausgetauscht werden können. Der Betriebstemperaturbereich reicht von -40 °C bis +70 °C. 

Steuerung und Überwachung des Ventilstellungsreglers mit nur einem Gerät

Als erste 2-kanalige AI/AO-Barriere für Eigensicherheit mit Doppelfunktion kann das KCD2-SCS* individuell für Analogeingangs- oder Analogausgangs-Steuersignale konfiguriert werden. Mit einem kompakten 12,5-mm-Gehäuse und einer Packungsdichte von 6 mm/Kanal ermöglicht das neue Modul eine platzsparende Integration in den Leittechnikschrank. Die Interfacemodule sind HART-kompatibel und können sowohl als SMART-Transmitterspeisegeräte für 2-Draht-Transmitter als auch als SMART-Ausgangstreiber für Ventilstellungsregler verwendet werden.

Platzsparend für Gehäuse in explosionsgefährdeten und nicht explosionsgefährdeten Bereichen

Bei Profilschienen der Serie K-DUCT befinden sich die Kabelkanäle hinter der DIN-Hutschiene. Eingangs- und Ausgangsverdrahtung werden durch eine integrierte Trennwand separiert, wodurch die räumliche Trennung von explosionsgefährdeten und nicht explosionsgefährdeten Signalen gewährleistet wird. Über und außerhalb der DIN-Hutschiene wird kein Platz für die Verkabelung benötigt, wodurch der verfügbare Platz optimal genutzt werden kann. Im Vergleich zur herkömmlichen Kabelführung erhöht die Verwendung des K-DUCT-Systems die Packungsdichte pro Gehäuse um 50 Prozent.

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